RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
48
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2496
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link