RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3009
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link