RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
14.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3705
1998
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link