RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
17.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.9
19.1
Скорость записи, Гб/сек
14.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3705
3178
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link