RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link