RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link