RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3075
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link