RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2400
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link