RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 38
    周辺 26% 低遅延
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2400

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
メモリRAM