RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3509
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link