RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3122
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link