RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2887
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link