RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2887
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link