Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Средняя оценка

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 47

Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.2 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.4 7.5

Среднее значение в тестах

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 47
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 10.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2309 2308

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM