Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 89

Около -368% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.9 6.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

89 19
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 19.3
Скорость записи, Гб/сек

6.8 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1518 3310

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB

модули RAM