RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3317
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link