Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 71

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.8 5.2

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.5 12.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 71
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 13.5
Скорость записи, Гб/сек

7.8 5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2209 1344

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

Kingston 9905624-010.A00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston KF073F-ELF 2GB

Kingston KF073F-ELF 2GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM