RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link