Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 46

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.9 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 31
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 17.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 3222

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

модули RAM