RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3341
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link