RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
40
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
3385
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link