RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
2897
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link