Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 40

Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.6 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 18
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 20.6
Скорость записи, Гб/сек

7.8 18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2209 3607

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM