RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingston K000MD44U 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Kingston K000MD44U 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston K000MD44U 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2262
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston K000MD44U 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link