Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 40

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.0 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 19.3
Скорость записи, Гб/сек

7.8 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2209 3687

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

Kingston 9905702-029.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM