RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
2427
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link