RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
69
Около -1% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2007
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link