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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
68
69
左右 -1% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
68
读取速度,GB/s
4,217.2
16.9
写入速度,GB/s
1,857.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2007
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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