RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3492
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M391B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link