RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB против Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2412
3321
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link