RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 65
    Около -67% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 7.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2245

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
модули RAM
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
модули RAM