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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2245
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
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