RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link