RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
74
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2412
1925
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link