RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
2808
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link