RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
84
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
84
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1486
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link