SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 43

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 33
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.1
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1706 2702

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM