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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
84
周辺 70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
12.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
84
読み出し速度、GB/s
16.1
12.5
書き込み速度、GB/秒
10.1
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
1486
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
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