RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
60
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
1505
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link