Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 75

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 6.9

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 12.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 75
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 15.0
Скорость записи, Гб/сек

9.4 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2282 1729

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

Kingston KH280C14D4/8X 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM