RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
2852
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link