RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2196
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link