RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link