RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2880
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link