RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2880
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link