RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
57
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
57
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2377
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link