RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link