RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2852
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link