RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2452
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link