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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
3,510.5
14.4
写入速度,GB/s
1,423.3
9.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2452
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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