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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
16.7
14.4
写入速度,GB/s
11.8
9.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2452
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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