RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
44
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
3220
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link