RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
44
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2422
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link